(1) 對(duì)外延基區(qū)雙極技術(shù)，硼硅玻璃自對(duì)準(zhǔn)雙極技術(shù)等進(jìn)行了詳細(xì)的分析和敘述。

(2) 實(shí)踐說明，該法優(yōu)于原長(zhǎng)基區(qū)電阻率法。

(3) 研究了為提高基區(qū)少子壽命而進(jìn)行磷吸收的機(jī)理。

(4) 而由于淺能級(jí)雜質(zhì)的陷阱效應(yīng)，低溫下基區(qū)和發(fā)射區(qū)渡越時(shí)間變長(zhǎng)，截止頻率下降。

(5) 介紹了非對(duì)稱型門極換流晶閘管的P基區(qū)結(jié)構(gòu)。

(6) 采用多晶硅發(fā)射區(qū)和基區(qū)重?fù)诫s技術(shù)，獲得了可與CMOS結(jié)構(gòu)兼容，基區(qū)電阻較小的硅低溫雙極晶體管。

(7) 準(zhǔn)面和低基區(qū)電阻是該設(shè)計(jì)的主要特點(diǎn)。

(8) 為減小基區(qū)電阻和防止低溫載流子凍析，可增加基區(qū)濃度。

(9) 還設(shè)置延伸通過半導(dǎo)體層并進(jìn)入基區(qū)中的溝槽[高考升學(xué)網(wǎng) ]。

(10) 注入，如果有必要通過延伸NPN的基區(qū)到隔離槽形成保護(hù)環(huán)。

(11) 在對(duì)器件基區(qū)中光生電流分布規(guī)律進(jìn)行理論分析的基礎(chǔ)上，得出硅雙結(jié)型色敏器件中摻雜濃度和兩個(gè)結(jié)的結(jié)深是影響光譜響應(yīng)范圍的主要因素。

(12) 無(wú)論NPN型還是PNP型管，三極管內(nèi)部均有三個(gè)區(qū)、即發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)，三個(gè)區(qū)形成兩個(gè)PN結(jié)。

(13) 擴(kuò)展電阻的測(cè)試結(jié)果顯示出注入的P離子基本上集中在集電區(qū)的位置，對(duì)發(fā)射區(qū)和基區(qū)未造成顯著影響。

(14) 星期五早些時(shí)候，幾萬(wàn)名抗議者揮舞著黨旗，高喊反對(duì)君主制的口號(hào)，在首都加德滿都城外的拉蘭基區(qū)游行。

(15) 計(jì)算結(jié)果表明，發(fā)射區(qū)載流子壽命的變化幾乎不影響注入到基區(qū)的電子電流，但卻成反比例地影響基區(qū)空穴電流。

(16) 星期五早些時(shí)候，幾萬(wàn)名抗議者揮舞著黨旗，高喊反對(duì)君主制的口號(hào)，在首都加德滿都城外的拉蘭基區(qū)游行。

(17) 市政府秘書長(zhǎng),市政府研究室、市住建局、市水務(wù)局、市交通局、市農(nóng)委以及富拉爾基區(qū)、鐵鋒區(qū)、富�？h主要領(lǐng)導(dǎo)陪同調(diào)研。

(18) 人民網(wǎng)齊齊哈爾2月17日電(記者袁泉)記者從齊齊哈爾市獲悉,今天上午富拉爾基區(qū)北鋼醫(yī)院發(fā)生一起故意報(bào)復(fù)殺害醫(yī)生案件。